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半導体検査

半導体検査の製造工程における重要な検査の一つとしてシリコンウエハの外観検査があります。ウエハ表面の異物やキズなどの欠陥を検出する工程です。現在は20nm以下の欠陥を検出できる高感度の検出性能が要求されていますが、この高感度化に極めて有効な手法がレーザー照射です。ウエハ表面の全領域をレーザー光で高速かつ高精度でスキャンします。レーザー光が異物やキズに当たると、光が散乱し、この散乱光を検出することで欠陥の有無を判定します。

今後もより小さなスケールでの検査能力が益々重要になってきますが、この検査において最も重要なファクターはビームの帯域幅とポインティングの安定性が高いことです。これらのパラメータのいずれかが変化すると正確な検査は行えません。従ってシリコンウエハ検査には、安定した信頼性の高いレーザーが選ばれることになります。

レイチャーシステムズでは、英国Laser Quantum社のFinesseシリーズなど、この用途に関しても納入実績があり、お客様とご相談の上でその他シリーズ・メーカーの中からもおすすめすることが可能です。

◎半導体検査で使用されるレーザー◎
・Photonics Industries 社製「DPシリーズ
・Litron Lasers 社製「Plasmaシリーズ
・Laser Quantum 社製 「finesseシリーズ
・Laser Quantum 社製 「opusシリーズ
Laser Quantum 社製 「gemシリーズ

 

 

レーザー詳細仕様のご説明、お客様のご用途/ニーズにあわせてレーザーシステムのご提案を致しますので、お電話(03-3351-0717)もしくはお問合せフォームよりお気軽にお問合せください。

条件に一致する製品は5件あります

高出力、高汎用性 CWレーザー

opusシリーズ

1064nm660nm532nm
最大10W
ラインナップを見る(3)
モデル名 平均出力出力安定性光ノイズ
opus 532 2W、3W、4W、5W、6W≤0.2%rms(温度一定、100時間以上測定)<0.08%rms
opus 660 1W、1.5W<1%rms(温度一定、100時間以上測定)<0.6%rms
opus 1064 2W、4W、6W、8W、10W<0.1%rms(温度一定、100時間以上測定)<0.15%rms

装置組込みに最適なコンパクトCWレーザー

gemシリーズ

671nm660nm640nm561nm532nm473nm
最大2W
ラインナップを見る(6)
モデル名 平均出力線幅出力安定性光ノイズ
gem 473 100mW、250mW、500mW40GHz<1.0%rms(温度一定、100時間以上測定)<1.0%rms
gem 532 100mW、250mW、500mW、1W、1.5W、2W30GHz<0.8 %rms(温度一定、100時間以上測定)<0.8%rms
gem 561 100mW、250mW、500mW、750mW、1W40GHz<1.0%rms(温度一定、100時間以上測定)<1.5%rms
gem 640 100mW、250mW、500mW40GHz<0.8%rms(温度一定、100時間以上測定)<0.8%rms
gem 660 100mW、250mW、500mW、750mW、1W30GHz<1.0%rms(温度一定、100時間以上測定)<0.6%rms
gem 671 100mW、250mW、500mW、750mW30GHz<1.0%rms(温度一定、100時間以上測定)<0.6%rms

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